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2015年8月 9日 (日)

メモリーの新技術「3D XPoint」:NANDフラッシュメモリーより1000倍高速なメモリー技術

 メモリーの新技術「3D XPoint」、SSDの登場に匹敵する一大変革が到来か - Computerworldニュース:Computerworldによれば、米Intelと米Micron Technologyが開発したメモリー技術「3DXPoint(3Dクロスポイント)」は、今主流のNANDフラッシュメモリーより、読み書きのどちらもが1000倍高速なのだという。1000倍というのは、ものすごい高速化である。
 メモリーセルにビットを保持する方法は、電子を移動するNANDとは違って、メモリーセルの材質そのものの抵抗を変化させる仕組みらしい。そいうえば、昔々のPROMには、ヒューズ方式というのがあって、抵抗値を変えることでビットを記憶したいた。まあ、1度書き込んだら(ヒューズを切断したら)2度と書き込めない、1タイムRPROMだったが。
 なぜ高速にできるのか、高集積化が可能なのかは、この記事を読んでもさっぱり理解できなかったが、これだけの高速化は新しいブレークスルーを生み出すのに十分な画期的技術であることは間違いない。

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